特許

J-GLOBAL ID：200903030359354284

半導体レーザーの作製方法

発明者： 西田 敏夫 ,  玉村 敏昭 ,  河合 義夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-167245
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013886
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【構成】 紫外線を光源とする縮小投影露光と位相シフトマスク1を用いて、回折格子パターンを形成する。【効果】 サブミクロン回折格子作製に紫外線露光法と位相シフトマスク1を用いると、電子線露光や電子線露光により形成した、1対1マスクを利用するX線露光法に比較して、縮小露光を行うことによって周期均一性を向上することが出来るとともに、干渉露光法やフォトマスク法による場合と比較しても、高いマスク損傷を抑えながら解像度とスループット向上、更にλ/4シフト導入に見られるパターンの自由度向上を実現できることが明らかになった。このような加工法をDFB-LD作製に適用する場合、狭スペクトル線幅の光通信光源を実現できる。

請求項（抜粋）：

回折格子を有する半導体レーザー作製方法において、前記回折格子のパターンを、紫外線を光源とする縮小投影露光と位相シフトマスクを用いて形成する事を特徴とする半導体レーザーの作製方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02B 5/18 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 311 W ,  H01L 21/30 341 P