特許
J-GLOBAL ID：200903030361518723
処理装置及び基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-148047
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347260
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 本発明は基板の背面をエッチング処理するバックサイドエッチング装置を構成要素に含む処理装置及び接着剤除去方法に関し、接着剤に起因して基板表面に曇りが発生するのを防止することを課題とする。【解決手段】 接着剤8により保護テープ3に接着されたウェハ2の背面研削処理を行なうグラインダ装置10と、このグラインダ装置10で研削されたウェハ2の背面をバックサイドエッチング処理するバックサイドエッチング装置20とを具備する処理装置において、保護テープ3から露出している接着剤8を硬化するUV照射装置50Aを設ける。これにより、接着剤8からモノマー/ポリマー等の蒸発成分が発生するのを防止し、ウェハ2(半導体素子60)に曇りが発生するのを防止する。
請求項（抜粋）：
テープに紫外線硬化型の接着剤を用いて接着された基板の、背面研削処理及び個片化処理を行なうグラインダ装置と、該グラインダ装置で研削された前記基板の背面をエッチング処理するバックサイドエッチ装置と、前記基板を前記グラインダ装置或いはバックサイドエッチ装置に搬入出するときに一時保管を行なう前室とを具備する処理装置において、前記基板の背面側から紫外線を照射することにより前記テープ上で露出している前記接着剤を硬化させる紫外線照射手段を設け、かつ、前記基板の搬送経路方向に対し、前記紫外線照射手段を前記バックサイドエッチ装置の配設位置に対し上流側の位置に配設したことを特徴とする処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 631
, H01L 21/301
, H01L 21/3065
H01L 21/304 631
, H01L 21/78 P
, H01L 21/302 105 B
5F004BA03
, 5F004BB05
, 5F004EA38
, 5F004FA08
