ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-001966
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211694
出願日： 1994年01月13日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】窒化シリコン層に対する選択比を充分に確保しつつ、酸化シリコン層をエッチングするドライエッチング方法を提供する。【構成】窒化シリコン層2上の酸化シリコン層3を、フッ化チオカルボニルCSF2 ガスを用い、被エッチング基板を室温以下に制御しつつエッチングする。【効果】酸化シリコン層は、Fラジカルとイオンアシストの併用モードでエッチングが進行する一方、下地の窒化シリコン層が露出すると、この表面にポリチアジルを主体とする窒化イオウ系化合物がエッチングストッパ層として形成され、高選択比と低ダメージが達成される。窒化イオウ系化合物は、エッチング終了後昇華除去できるので、パーティクル汚染等の虞れが無い。

請求項（抜粋）：

窒化シリコン系材料層上の酸化シリコン系材料層の選択ドライエッチングにおいて、分子内にチオカルボニル基とフッ素原子を有するフッ化チオカルボニル化合物を含むエッチングガスを用いて、被エッチング基板を室温以下に制御しながらエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/318 , H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/302 C

前のページに戻る