特許

J-GLOBAL ID：200903030379207105

誘電体薄膜及びその形成方法

発明者： 上田 路人 ,  大塚 隆
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133000
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330415
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 容量低下の防止とリーク低減を同時に達成することができる誘電体薄膜とその形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 例えばBSTからなる第1の誘電体薄膜3を形成した後第1の熱処理を行い、さらに例えばBSTからなる第2の誘電体薄膜5を形成した後第2の熱処理を行う。この時、粒界絶縁物形成が、粒界に偏析するカーボン化合物の除去中または除去後となるため、リークパスが形成されないため、リーク電流が小さく、絶縁耐圧の高い誘電体薄膜を実現できる。また、微小な空洞に対してはもリーク抑制層を埋め込むことが可能となる。

請求項（抜粋）：

カーボンを含有する多結晶誘電体薄膜から少なくとも一部の前記カーボンを除去した後、前記誘電体薄膜の粒界に絶縁物を形成したことを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/33

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/06 102