特許

J-GLOBAL ID：200903030382637269

半導体装置のシリコン酸化膜形成方法およびこれを用いた素子分離方法

発明者： 李 禎浩 ,  李 東峻 ,  姜 大源 ,  文 成澤 ,  李 基鶴 ,  崔 晶植
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-005050
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367980
出願日： 2002年01月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】 スピンオンガラスを利用して、アスペクト比が高くVLSI級の配線層間のギャップを埋立てることができ、CVD酸化膜と実質的に同一な特性を有する半導体装置のシリコン酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】 上面にトレンチ12が形成された基板10の上に構造式が-(SiH2NH)n-(式中、nは正の定数である)であり、ポリシラザンを含むSOG溶液を塗布して平坦なSOG膜を形成する。SOG膜を1次熱処理して酸化物に転換させ、収得した酸化物を2次熱処理して密集化させ、SOG膜を平坦な表面を有するシリコン酸化膜に形成する。アクティブ領域のシリコンが酸化されることを抑制して寸法安定性を確保することができる。

請求項（抜粋）：

上面に形成された段差部を有する半導体基板上に構造式が-(SiH2NH)n-(nは正の定数)であるポリシラザンを含むスピンオンガラス溶液を塗布して平坦なスピンオンガラス膜を形成する段階と、前記スピンオンガラス膜を1次熱処理して酸化物に転換し、前記酸化物を2次熱処理して密集化させ、前記スピンオンガラス膜を硬化して平坦な表面を有するシリコン酸化膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体装置のシリコン酸化膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 Q

Fターム (48件)：

5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032CA01 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA10 ,  5F032DA23 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033MM08 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F058AA06 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH06 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• トレンチ・アイソレーション構造の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-116427   出願人：日本電気株式会社