特許

J-GLOBAL ID：200903030386899691

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

発明者： 服藤 憲司 ,  大塚 信之 ,  伴 雄三郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053810
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257939
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 結晶品質を劣化させることなく、リッジ部における残し厚の制御性とエッチング深さの面内一様性とを共に向上させる。【解決手段】 上面にレジストパターン30が形成された試料21に対して、プラズマによるドライエッチングを行なうことにより、試料21の上部に断面凸状部を形成するエッチング工程を有している。該エッチング工程は試料21を加熱し、試料21の加熱温度は、プラズマ40と試料21とが反応してなる反応生成物又はレジストパターン30がプラズマ40によりスパッタされてなる生成物が試料21の表面上に堆積物として堆積する際の堆積物の表面移動度が大きくなり始める温度以上で、且つ堆積物が試料の表面に固着する温度よりも低い温度に設定する。

請求項（抜粋）：

上面にマスクパターンが形成された試料に対して、プラズマによるドライエッチングを行なうことにより、前記試料の上部に断面凸状部を形成するエッチング工程を備え、前記エッチング工程は前記試料を加熱する工程を含み、前記試料の加熱温度は、前記プラズマと前記試料とが反応してなる反応生成物又は前記マスクパターンが前記プラズマによりスパッタされてなる生成物が前記試料の表面上に堆積物として堆積する際の前記堆積物の表面移動度が大きくなり始める温度以上で、且つ、前記堆積物が前記試料の表面に固着する温度よりも低い温度に設定することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/343 610

FI (3件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/343 610 ,  H01L 21/302 101 C

Fターム (20件)：

5F004BA20 ,  5F004BB26 ,  5F004BD03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DB08 ,  5F004DB19 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA26 ,  5F073EA15 ,  5F073EA18