特許
J-GLOBAL ID：200903030393224250
多結晶シリコン薄膜とその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004988
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330519
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 シリコンの窒化物を濡れ材として用いた溶液成長によってより粒径の大型化と面内均一性を向上させるために、作製条件を明確にし、歩留まり向上、コストを削減した多結晶シリコン薄膜とその作製方法を提供する。【解決手段】 基板上に金属を供給して金属薄膜を形成する工程と、加熱された前記金属薄膜上にシリコンを供給する工程とを有する、シリコン多結晶薄膜の作製方法において、前記金属薄膜を形成する工程の前に、前記基板上に金属またはシリコンの窒化物からなる窒化膜を形成する工程を有する構成とした。この場合、作製条件として金属薄膜の厚さを100nm以上500nm以下とした構成とした。
請求項（抜粋）：
基板上に金属を供給して金属薄膜を形成する工程と、加熱された前記金属薄膜上にシリコンを供給する工程とを有する、シリコン多結晶薄膜の作製方法において、前記金属薄膜を形成する工程の前に、前記基板上に金属またはシリコンの窒化物からなる窒化膜を形成する工程を有することを特徴とするシリコン薄膜の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 X
, H01L 21/318 B
