特許

J-GLOBAL ID：200903030394693415

パターン形成用レジストおよびパターン形成方法

発明者： 早瀬 留美子 ,  大西 廉伸 ,  仁木 博一 ,  小林 嘉仁 ,  親里 直彦 ,  早瀬 修二 ,  佐藤 一夫 ,  宮村 雅隆 ,  熊谷 明敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-100310
公開番号（公開出願番号）：特開平5-181279
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、紫外線、電離放射線に対して高感度でかつ高解像性を有するパターン形成用レジストを提供しようとするものである。【構成】(A)下記化1に示す一般式(I)で表される酸により分解する置換基を有する化合物と、(B)光照射により酸を発生する化合物と、を含むことを特徴としている。【化1】ただし、式(I)中のR1 は1価の有機基、mは0または1以上の正の数、nは正の数を示す。

請求項（抜粋）：

(A)下記化1に示す一般式(I)で表される酸により分解する置換基を有する化合物と、(B)光照射により酸を発生する化合物と、を含むことを特徴とするパターン形成用レジスト。【化1】ただし、式(I)中のR1 は1価の有機基、mは0または1以上の正の数、nは正の数を示す。

IPC (3件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-321049
  
• 特表平6-502260