特許

J-GLOBAL ID：200903030395053371

バイアス回路、及び半導体集積回路

発明者： 工藤 正樹 ,  丹場 裕子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183356
出願日： 1992年01月06日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、しきい値電圧のばらつきに拘らず安定動作する自己発生型バイアス回路を提供することにある。【構成】 MOSトランジスタM2のしきい値電圧のプロセスばらつきによる影響をキャンセルするための第1電流経路11と、MOSトランジスタM1のしきい値電圧のプロセスばらつきによる影響をキャンセルするための第2電流経路12とを設け、MOSトランジスタ直列回路のしきい値電圧のプロセスばらつきによる影響を排除する。

請求項（抜粋）：

ダイオード接続された複数のトランジスタの直列回路を含み、このトランジスタ直列回路に電源電圧が供給されることにより、所望のバイアス電圧を自己発生するように構成されたバイアス回路において、上記トランジスタのしきい値電圧のばらつきに反比例するように電流が変化される電流経路を設け、上記トランジスタ直列回路の出力をこの電流経路を介して後段回路に伝達するように構成されたことを特徴とするバイアス回路。