特許

J-GLOBAL ID：200903030397429271

金属酸化物半導体粒子分散体、金属酸化物半導体電極の製造方法、および光電変換セル

発明者： 安藤 宗徳
出願人/特許権者： 東洋インキ製造株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-227565
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042534
出願日： 2005年08月05日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】成膜性、透明電極基材への密着性に優れ、安価な樹脂基材上でも金属酸化物半導体電極の製造が可能な低温焼成プロセスに適した金属酸化物半導体粒子分散体、電極としての性能の安定性に優れ、高性能化が可能な金属酸化物半導体電極および光電変換セルの提供。【解決手段】平均一次粒子径3nm以上50nm以下の金属酸化物半導体粒子の各々が接触し、平均粒子径50nm以上300nm以下の二次粒子体を形成して成る第一群の分散成分と、平均二次粒子径dに対し(-1+√2)dの0.8〜1.5倍を乗した平均粒子径の二次粒子体を形成して成る第二群の分散成分と、溶剤とを含む金属酸化物半導体粒子分散体、透明電極基材上に前記金属酸化物半導体粒子分散体を成膜する工程を含む金属酸化物半導体電極の製造方法、および該方法で製造される金属酸化物半導体電極、増感色素、電解質および電導性対極を具備する光電変換セル。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平均一次粒子径3nm以上50nm以下の金属酸化物半導体粒子の各々が接触し、平均粒子径50nm以上300nm以下の二次粒子体を形成して成る第一群の分散成分と、平均二次粒子径dに対し下記式(1)の0.8〜1.5倍を乗した平均粒子径の二次粒子体を形成して成る第二群の分散成分と、溶剤とを含む金属酸化物半導体粒子分散体。 式(1) (-1+√2)d

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

Fターム (17件)：

5F051AA14 ,  5F051BA14 ,  5F051BA17 ,  5F051FA04 ,  5F051FA21 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17 ,  5H032EE20 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第4927721号