特許

J-GLOBAL ID：200903030403200303

半導体装置の製造方法

発明者： 遠藤 康浩 ,  宮内 榮三 ,  田口 孝雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-182063
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029234
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、被処理基板表面の自然酸化膜を除去する際、処理表面に不純物残渣を生じ難くすることができるとともに、処理表面にダメージを入り難くすることができ、しかも不純物拡散を生じ難くすることができ、素子特性の劣化を生じ難くすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 被処理基板をRTA(Rapid Thermal Annealing)法により短時間加熱する加熱工程と、被処理基板に該被処理基板の構成物質のビームを照射するビーム照射工程とを同時に行うか、あるいは交互に少なくとも1回ずつ行うことにより、該被処理基板の表面処理を行う工程とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

被処理基板をRTA(Rapid Thermal Annealing)法により短時間加熱する加熱工程と、該被処理基板に該被処理基板の構成物質のビームを照射するビーム照射工程とを同時に行うか、あるいは交互に少なくとも1回ずつ行うことにより、該被処理基板の表面処理を行う工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324