特許

J-GLOBAL ID：200903030408542270

半導体の製造のための高エネルギー電子を生成するためのヘリコン波励振

発明者： アーサー ウォレン モルビック ,  アルバート ロジャー エリンボー
出願人/特許権者： アメリカ合衆国
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-287435
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189551
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 磁場の強さおよび(または)高周波出力を制御してヘリコンプラズマ源内の高エネルギー電子の生成を制御すること。【解決手段】 非絶縁体表面上に形成された絶縁体をエッチングするための処理であって、当該絶縁体の露出された表面に電荷を与える高エネルギー電子を発生する工程と、当該絶縁体の電荷を与えられた露出された表面をエッチングするイオンプラズマを形成する工程からなることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

非絶縁体表面上に形成された絶縁体をエッチングするための処理方法であって、当該絶縁体の露出表面に電荷を付与する高エネルギー電子を発生する工程と、当該絶縁体の電荷が付与された露出表面をエッチングするイオンプラズマを形成する工程からなる処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/08 ,  H05H 1/46 ,  C23F 4/00

FI (5件)：

H01L 21/302 B ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/08 ,  H05H 1/46 L ,  C23F 4/00 A