特許

J-GLOBAL ID：200903030413357219

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 宮下 工
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205314
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047192
出願日： 1991年08月15日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は不揮発性半導体記憶装置に関し、従来例の書込み電圧及びワード線選択電圧の出力機能を維持しつつ、低圧用のトランジスタのみを用いて高電圧出力回路を構成し、通常の動作電圧の約2〜2.5 倍程度の高電圧が該回路に印加された場合であっても、各トランジスタの動作を確保することを目的とする。【構成】 データData を記憶する記憶素子11と、前記データData の書込みをするデータ書込み手段12と、前記データData を読み出すデータ読出し手段13と、前記記憶素子11,データ書込み手段12及びデータ読出し手段13の入出力を制御する制御手段14とを具備し、前記記憶素子11に係るワード線選択電圧(Vr)を出力する第1の高電圧出力回路15Aと、前記データData に係る書込み電圧を出力する第2の高電圧出力回路15Bとが設けられることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

データ(Data )を記憶する記憶素子(11)と、前記データ(Data )の書込みをするデータ書込み手段(12)と、前記データ(Data )を読み出すデータ読出し手段(13)と、前記記憶素子(11),データ書込み手段(12)及びデータ読出し手段(13)の入出力を制御する制御手段(14)とを具備し、前記記憶素子(11)に係るワード線選択電圧(Vr)を出力する第1の高電圧出力回路(15A)と、前記データ(Data )に係る書き込み電圧(Vw)を出力する第2の高電圧出力回路(15B)とが設けられることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 D ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371