特許
J-GLOBAL ID：200903030413650021
ゲートターンオフサイリスタ及びこれを用いた電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042758
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243560
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】ターンオフ時にカソードエミッタ中央部の直下での電流集中を緩和し、破壊耐量が高く、またターンオフ損失を低減できる高耐圧のGTO及びそれを用いた電力変換装置を提供する。【構成】nベース層14がpエミッタ層13に隣接する第1の層部分141と、pベース層15に隣接し第1の層部分141より低不純物濃度を有する第2の層部分142と、pエミッタ層13から注入された正孔の進行経路を変更する手段143とから構成したGTOである。【効果】大容量のGTO及び電力変換装置が得られる。
請求項（抜粋）：
一対の主表面を有し、一対の主表面間に一方の主表面に隣接する一方導電型の一方のエミッタ層、一方のエミッタ層に隣接する他方導電型の一方のベース層、一方のベース層及び他方の主表面に隣接する一方導電型の他方のベース層、他方のベース層及び他方の主表面に隣接する他方導電型の他方のエミッタ層を有し、一方のベース層が一方のエミッタ層に隣接する第1の層部分と、他方のベース層に隣接し第1の層部分より低不純物濃度を有する第2の層部分と、一方のエミッタ層及び他方のベース層から離れ第1の層部分及び第2の層部分の少なくとも一方に隣接して一方の主表面と平行をなす面に部分的に設けられ第1の層部分及び第2の層部分より高不純物濃度を有する第3の層部分とからなる半導体基体と、半導体基体の一方の主表面において一方のエミッタ層にオーミック接触する一方の主電極と、半導体基体の他方の主表面において他方のエミッタ層にオーミック接触する他方の主電極と、半導体基体の他方の主表面において他方のベース層にオーミック接触する制御電極とを具備することを特徴とするゲートターンオフサイリスタ。
引用特許：
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