特許
J-GLOBAL ID：200903030414677454
表面処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039418
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249603
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】被処理物裏面に付着する異物を減少させ、裏面異物を減少し、尚且つオゾンあるいはオゾンと紫外線による半導体基板表面の有機物を効果的に除去する装置を提供する。【構成】オゾンあるいはオゾンと紫外線を用いて被処理物表面を処理する装置において、被処理物1と加熱ヒ-タを内臓した支持台との間に0.1〜0.5mmの空隙を設け、接触面積を減少させる。支持台は、加熱機構部3と支持機構部2で構成し、支持機構部2を加熱機構部3の材料の熱放射率より大きい熱放射率の材料で形成する。【効果】接触による異物転写は接触面積の減少比に見合って減少させることができる。また支持機構部に加熱機構部の材料の放射率より大きい材料を用いることにより被処理物を効果的に加熱できる。
請求項（抜粋）：
加熱機構部と支持機構部で構成され支持台に被処理物を載置し、上記被処理物の表面をオゾンを用いて処理する装置において、支持台の被処理物側に複数の突起体を形成し、上記突起体の先端が上記被処理物の裏面を支持するようにし、上記被処理物の裏面と上記支持台の被処理物側で上記突起体のない部分の面との間に空隙を設けて構成されたことを特徴とする表面処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, B08B 11/02
, H01L 21/3065
