特許

J-GLOBAL ID：200903030416894703

CMOS互換の可変負性微分抵抗装置及びその動作方法

発明者： ツ-ジャエ キング ,  デビッド ケイ. ワイ. リュウ
出願人/特許権者： プログレサント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-187748
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064203
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】負性微分抵抗(NDR)を示すトンネルダイオードと同様で、負性微分抵抗特性に対して帯域間トンネルが唯一の物理的なメカニズムではない新規なNDR装置を提供することにある。【解決手段】 半導体トランジスタ装置は、動的に変化し動的に反転する閾値電圧を含む半導体トランジスタ装置であって、閾値電圧が前記半導体トランジスタ装置が受信する制御信号を用いて制御可能であり、前記半導体トランジスタ装置が負性微分抵抗モードで動作することが出来る。

請求項（抜粋）：

動的に変化し動的に反転する閾値電圧を含む半導体トランジスタ装置であって、閾値電圧が前記半導体トランジスタ装置が受信する制御信号を用いて制御可能であり、前記半導体トランジスタ装置が負性微分抵抗モードで動作することが出来ることを特徴とする半導体トランジスタ装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/66

FI (3件)：

H01L 29/66 T ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 27/08 321 C

Fターム (39件)：

5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BB05 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F140AA00 ,  5F140AB03 ,  5F140AC09 ,  5F140AC12 ,  5F140AC16 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140BA01 ,  5F140BB13 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21