特許

J-GLOBAL ID：200903030421770923

半導体レーザ素子

発明者： 本多 正治 ,  庄野 昌幸 ,  池上 隆俊 ,  別所 靖之 ,  ▲広▼山 良治 ,  賀勢 裕之
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064013
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275915
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 発振しきい値電流が低く、且つ温度特性に優れた短波長化が容易な半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1と、該基板1の一主面上に形成されたn型(AlxaGa1-xa)0.5In0.5Pクラッド層3と、該n型クラッド層3上に形成された(AlpGa1-p)qIn1-qP引張り歪量子井戸層を有する量子井戸構造からなる活性層5と、該活性層5上に形成されたp型(AlxbGa1-xb)0.5In0.5Pクラッド層7と、該p型クラッド層7上に形成された(AltGa1-t)uIn1-uP量子井戸層と(AlvGa1-v)wIn1-wP量子障壁層とが交互に積層されてなるp型多重量子障壁構造層8と、該多重量子障壁構造層8上に形成されたp型(AlxcGa1-xc)0.5In0.5Pクラッド層9とを備え、前記主面が{100}面から[011]方向に9度〜14度傾斜した面である構成とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型のGaAs基板と、該基板の一主面上に形成された第1導電型の(AlxaGa1-xa)0.5In0.5Pクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された(AlpGa1-p)qIn1-qP引張り歪量子井戸層を有する量子井戸構造からなる活性層と、該活性層上に形成された第2導電型の(AlxbGa1-xb)0.5In0.5Pクラッド層と、該第2導電型のクラッド層上に形成された(AltGa1-t)uIn1-uP量子井戸層と(AlvGa1-v)wIn1-wP量子障壁層とが交互に積層されてなる多重量子障壁構造層と、該多重量子障壁構造層上に形成された第2導電型の(AlxcGa1-xc)0.5In0.5Pクラッド層とを備え、前記GaAs基板の一主面が{100}面から[011]方向に9度〜14度傾斜した面であることを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平4-215488
  
• 特開平3-021093
  
• 量子バリア半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-320977   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開平4-273491
  
• 特開平4-114486
  
• 特開平4-130687
  
• 特開平4-037081
  
• 特開平3-109789