特許

J-GLOBAL ID：200903030421836584

パターン形成方法

発明者： 井上 智 ,  野間 幹弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255091
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107015
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 Moおよび酸化Moから成る積層膜をウエットエッチングしてパターン形成を行うときに、エッチングされた部分を滑らかな形状し、酸化Moの不要な部分を除去することで、素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 基板4上に、Mo膜3、酸化Mo膜2およびレジスト1が、この順に形成されたものに対して、過酸化水素(H2O2)水を用いてウエットエッチングを行うと、比較的小さなテーパ角eを有する滑らかなテーパ部分を形成することができる。また、塩酸または臭化水素酸を用いたウエットエッチングによって、酸化Mo膜2の不要な部分を除去することができる。

請求項（抜粋）：

Mo(モリブデン)および酸化Moから成る積層膜を過酸化水素水を用いてウェットエッチングする工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/308 ,  C23F 1/26 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/308 F ,  C23F 1/26 ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/88 C