特許
J-GLOBAL ID：200903030424394876
薄膜センサの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120759
公開番号（公開出願番号）：特開2000-310548
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 高温環境下においても絶縁特性が低下することの少ない絶縁薄膜を有し、被測定物に作用する応力や温度などの物理変化量を確実に測定可能な薄膜センサの製造方法を提供する。【解決手段】 被測定物1に複数の絶縁薄膜層2,3....を積層して絶縁薄膜を形成し、絶縁薄膜にセンサ膜を取り付けることによって、被測定物1へ作用する応力や温度などの物理変化量を測定する薄膜センサを製造する方法であって、次の絶縁薄膜層を成膜する前に、被測定物1に形成されている絶縁薄膜層2,3....の表面を研磨する研磨工程を備える。
請求項（抜粋）：
被測定物に複数の絶縁薄膜層を積層して絶縁薄膜を形成し、該絶縁薄膜にセンサ膜を取り付けることによって、前記被測定物へ作用する応力や温度などの物理変化量を測定する薄膜センサを製造する方法であって、次の絶縁薄膜層を成膜する前に、前記被測定物に形成されている絶縁薄膜層の表面を研磨する研磨工程を備えることを特徴とする薄膜センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01D 21/00 G
, G01L 1/18 Z
2F076BD01
, 2F076BD07
, 2F076BD10
