特許

J-GLOBAL ID：200903030428846925

半田バンプ形成基板の製造方法

発明者： 浅井 元雄 ,  山田 和仁 ,  脇原 義範
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271877
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098257
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【解決手段】金属基板上に樹脂層を形成し、レーザー光を用いて該樹脂層の所定の位置に該樹脂層の貫通孔を形成し、次いでその貫通孔に半田層を形成した後、樹脂層を剥離することを特徴とする半田バンプ形成基板の製造方法。【効果】本発明により、均一な径および体積を持つ半田バンプを、高確率で簡易に形成することができる半田バンプ形成基板を提供することが可能となった。

請求項（抜粋）：

金属基板上に樹脂層を形成し、レーザー光を用いて該樹脂層の所定の位置に該樹脂層の貫通孔を形成し、次いでその貫通孔に半田層を形成した後、樹脂層を剥離することを特徴とする半田バンプ形成基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/34 505 ,  H05K 3/34 502 ,  H01L 21/321

FI (4件)：

H05K 3/34 505 A ,  H05K 3/34 502 E ,  H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/92 604 B