特許
J-GLOBAL ID：200903030429817082
ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191076
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037058
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、炭素膜をドライエッチングする際に、炭素膜上のレジストパターンの寸法どおりに炭素膜を垂直形状にかつ高速にエッチングすることにより、高精度の炭素膜のマスクパターン形成を可能とするものである。【構成】 本発明は、少なくとも弗素および酸素を3対7ないしは99対1の比率で含有するガスにてプラズマを生成し、前記プラズマにてドライエッチングすることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
被エッチング基体に炭素薄膜を形成する工程と、前記炭素薄膜上にレジストパターンを形成する工程と、少なくとも弗素および酸素を3対7ないしは99対1の比率で含有するガスの雰囲気においてプラズマを生成し、前記プラズマによって前記炭素薄膜を前記レジストパターンに沿ってドライエッチングする工程と、を含むことを特徴とするドライエッチング方法。
引用特許：
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