特許
J-GLOBAL ID：200903030432362525
薄膜キャパシタの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098049
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283371
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 CVD法によりペロブスカイト型酸化物誘電体を成膜する場合において、成膜された膜中には原料に由来する炭素の残留が生じる。膜中の残留炭素はキャパシタの絶縁性、誘電特性を悪化させる。本発明の目的は、誘電体膜中の残留炭素濃度を低減させ、絶縁性、誘電特性、面内均一性に優れたペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜キャパシタを提供することにある。【解決手段】 ペロブスカイト型酸化物薄膜に対し、水素プラズマ、あるいはアルゴン等の不活性ガスで希釈した水素プラズマを照射する工程を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
薄膜キャパシタを構成する気相成長されたペロブスカイト型酸化物薄膜に対し、水素プラズマ、あるいはアルゴン等の不活性ガスで希釈した水素プラズマを照射する工程を含むことを特徴とする薄膜キャパシタの形成方法。
IPC (3件)：
H01G 4/33
, C23C 16/56
, H01G 4/10
H01G 4/06 102
, C23C 16/56
, H01G 4/10
