特許

J-GLOBAL ID：200903030434835749

MOS型半導体装置の製造方法

発明者： 日野 威 ,  三浦 博
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227278
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055380
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【課題】 異種原子をシリコン基板の表面に浅く導入して高品質な極薄酸化膜を形成する。【解決手段】 シリコン基板401を酸化して熱酸化膜402を約350Åの厚さに形成した後、SiFイオン403を熱酸化膜402を通して注入エネルギー20KeV、ドーズ量1×1015/cm2で注入する。これにより熱酸化膜402の下にフッ素原子を含んだアモルファス層404が形成される。緩衝フッ酸溶液に浸漬して熱酸化膜402を除去した後、シリコン基板401を酸素中で熱酸化することにより、シリコン基板401の表面に膜厚約70Åの酸化膜405を形成した。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面にゲート酸化膜を形成し、そのゲート酸化膜を構成要素とするMOS型半導体装置を製造する方法において、ゲート酸化膜を形成するために、シリコン基板表面にハロゲン化シリコンをイオン注入する工程と、そのイオン注入後のシリコン基板を酸化性ガス雰囲気中で加熱処理してシリコン基板表面を酸化する工程とを備えていることを特徴とするMOS型半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/265 H ,  H01L 29/78 301 G