特許
J-GLOBAL ID：200903030435392441
セラミツク基板の薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307502
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145238
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、各種電子機器の構成に広く使用されるセラミック基板の薄膜形成方法に関し、絶縁層の表面にコレクティブ層と確実に導通したパッドを形成することを目的とする。【構成】 コレクティブ層1-1 を形成した基板1の表面にビア下孔12-1を有するめっきレジスト膜12を被膜させ、めっきにより一定高さの導体ビア13を当該コレクティブ層1-1 の上面に突出させ、前記レジスト膜12を除去した後に上記基板1,該コレクティブ層1-1 および前記導体ビア13の上面を覆う感光性のポリイミド膜を施して全表面をドライエッチングすることにより該導体ビア13を上面に露出させた絶縁層14を形成し、当該絶縁層14の全面に該導体ビア13と導通した導体膜を被膜させてエッチングによりパッド15を形成する。
請求項（抜粋）：
セラミック基板(1) と表面に形成されたコレクティブ層(1-1) の上面にビア下孔(12-1)を有するめっき用のレジスト膜(12)を被膜させて、めっきにより一定高さの導体ビア(13)を当該コレクティブ層(1-1) の上面に突出させ、前記レジスト膜(12)を除去した後に上記基板(1),該コレクティブ層(1-1)および前記導体ビア(13)の上面を覆う感光性のポリイミド膜を施して、当該ポリイミド膜の全表面をドライエッチングして該導体ビア(13)の上面を露出させた絶縁層(14)を形成し、当該絶縁層(14)の全面に該導体ビア(13)と導通した導体膜を被膜させてエッチング等によりパッド(15)を形成したことを特徴とするセラミック基板の薄膜形成方法。
IPC (2件)：
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