半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327114
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144270
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】半導体装置を高集積化し、背の高いキャパシタを形成した場合においても、誘電体膜の比誘電率を低下させることなく、歩留りや製品信頼性の向上を図ることが可能な半導体装置を実現する。【解決手段】シリコン基板2の表面に平行な方向の誘電体膜9中の応力が圧縮応力の場合には下部電極8の中心軸方向長の大きなキャパシタでは基板2に平行な部分の面積より基板2に垂直な方向の誘電体膜9の面積が相対的に大きく圧縮応力となっている面積が大で比誘電率が急速に低下する。そこで、半導体装置1の高集積化が可能である構造について、上部電極10、下部電極8共、その膜厚方向に引張り応力を持つ膜を用いた。これにより、基板2の表面に対して垂直な誘電体膜9の膜厚方向の応力を引張り応力とすることができ、高集積化のために背の高いキャパシタとした場合においても比誘電率の低下を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成されたトランジスタと、このトランジスタの上層に、ペロブスカイト構造を有する誘電体膜とこの誘電体膜を挟む上部電極膜及び下部電極膜とから構成されるキャパシタを少なくとも有し、このキャパシタの誘電体膜表面の半分以上が上記半導体基板表面に対して垂直あるいは垂直から45度以内となっている半導体装置において、上部電極膜及び下部電極膜ともにその膜厚方向に引張りの応力を有する膜で構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451

FI (5件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 621 C

Fターム (21件)：

5F038AC05 , 5F038AC09 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F083AD31 , 5F083AD42 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083GA25 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33

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