特許
J-GLOBAL ID：200903030441836459
金属酸化物層を形成する方法、そのための真空処理装置および少なくとも1つの金属酸化物層をコーティングされた部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇井 正一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-164502
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097155
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は基板上に最大で選択的にイオンを透過する金属酸化物層を形成する方法、そのための真空処理装置および少なくとも1つの金属酸化物層を有する部品に関し、金属酸化物層を工業的に製造することができ、微細な裂け目や障害箇所がなく十分な付着強度が得られように改良することを目的とする。【構成】 基板上に最大で所定種類のイオンに選択的に導通する金属酸化物層を形成する方法において、真空室が少なくともHV(高真空)の圧力領域に排気され、金属がその中で基板における遊離された金属粒子の運動エネルギが最大で10eVであるように遊離され、酸素が室内へ装入され、単位時間当り装入される酸素量の単位時間当り遊離される金属量に対する比が基板上に設定可能な酸化度で金属酸化物が形成されるように選択され、基板温度が900°Cより低く維持されるように構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に最大で所定種類のイオンに選択的に導通する金属酸化物層を形成する方法において、真空室が少なくともHV(高真空)の圧力領域に排気され、金属がその中で、基板における遊離された金属粒子の運動エネルギが最大で10eVであるように遊離され、酸素が室内へ装入され、単位時間当り装入される酸素量の単位時間当り遊離される金属量に対する比が、基板上に設定可能な酸化度で金属酸化物が形成されるように選択され、基板温度が900°Cより低く維持されることを特徴とする金属酸化物層を形成する方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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