特許

J-GLOBAL ID：200903030449703709

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 下牧 伸一
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342108
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169970
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 オフセット構造の逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、電界緩和領域の長さを常に所期の長さとする。【構成】 アルミニウム膜の表面を陽極酸化することにより、陽極酸化されないアルミニウム膜によってゲート電極13を形成するとともに、その表面に酸化アルミニウム膜14を形成する。次に、ゲート絶縁膜15、アモルファスシリコン薄膜16、不純物注入マスク形成用層17およびフォトレジスト層18を形成する。次に、ゲート電極13および酸化アルミニウム膜14をマスクとして露光する。そして、この後の現像により形成されたフォトレジストパターンをマスクとして不純物注入マスク形成用層17をエッチングし、これにより形成された不純物注入マスクをマスクとして不純物を注入する。すると、ゲート電極13の側面に形成された酸化アルミニウム膜14に対応する部分のアモルファスシリコン薄膜16に電界緩和領域が形成される。

請求項（抜粋）：

透明基板上にゲート電極を形成するととともに該ゲート電極の少なくとも長さ方向の側面に陽極酸化膜を形成し、前記ゲート電極および前記陽極酸化膜上にゲート絶縁膜を介して半導体薄膜を形成し、前記ゲート電極および前記陽極酸化膜をマスクとした裏面露光により前記ゲート電極および前記陽極酸化膜に対応する部分の前記半導体薄膜上に不純物注入マスクを形成し、前記不純物注入マスクをマスクとして前記半導体薄膜に不純物を注入する、ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/266

FI (3件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 311 G