特許

J-GLOBAL ID：200903030453003576

高分子材料の表面処理方法

発明者： 菊地 啓 ,  横井 誠一 ,  井手上 英斗
出願人/特許権者： 東京瓦斯株式会社 ,  株式会社ニシヤマ
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-359554
公開番号（公開出願番号）：特開平6-192453
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月12日
要約：

【要約】【目的】 前処理も後処理も不要で安全且つ確実に、比較的短時間で高分子材料の表面をフッ素化すること。【構成】 0.1〜1.0Torrの含フッ素ガス存在下の真空雰囲気において、第1段階処理としてパッシェン(Paschen)の法則に基づいて定まるプラズマ放電開始直流電圧乃至はそれより僅かに高い直流電圧を印加することによって生成される直流プラズマを高分子材料の表面に照射することと、引き続いて後続処理として前記第1段階処理における電圧よりも順次高い直流電圧をそれぞれ印加することによって生成される直流プラズマを前記高分子材料の表面に少なくとも1段階で照射することによって高分子材料の表面をフッ素化するようにした。

請求項（抜粋）：

0.1〜1.0Torrの含フッ素ガス存在下の真空雰囲気において、第1段階処理としてパッシェン(Paschen)の法則に基づいて定まるプラズマ放電開始直流電圧乃至はそれより僅かに高い直流電圧を印加することによって生成される直流プラズマを高分子材料の表面に照射することと、引き続いて後続処理として前記第1段階処理における電圧よりも順次高い直流電圧をそれぞれ印加することによって生成される直流プラズマを前記高分子材料の表面に少なくとも1段階で照射することからなる高分子材料の表面処理方法。

IPC (2件)：

C08J 7/00 306 ,  C08F 8/18 MGQ