半導体装置の製造システム及び製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-179793
公開番号（公開出願番号）：特開平8-068618
出願日： 1988年12月23日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】LSIウェハの製造工程において、ウエハ上に発生する欠陥を致命的な欠陥と致命的でない欠陥とに識別することにより、各処理装置の状態を的確に把握することができる半導体装置の製造システムを提供することにある。【構成】被処理基板を複数の工程で処理することにより半導体装置を製造する半導体装置の製造システムにおいて、複数の工程の内の所定の工程の間に設けられて被処理基板上の欠陥の発生状態を検出する欠陥検出手段と、この欠陥検出手段により得られる被処理基板上の欠陥の情報に基づいて工程における欠陥の種類及び発生位置を特定する欠陥判定手段とを備えるようにした。【効果】外観検査装置において検出した欠陥を自動で分類し、検出した異物の致命性を判定できるので、プロセス・設備の歩留り管理に大きく寄与することができ、LSIの生産を高い歩留りで安定に維持することが可能になる。

請求項（抜粋）：

被処理基板を複数の工程で処理することにより半導体装置を製造する半導体装置の製造システムにおいて、前記複数の工程の内の所定の工程の間に設けられて前記被処理基板上の欠陥の発生状態を検出する欠陥検出手段と、該欠陥検出手段により得られる前記被処理基板上の欠陥の情報に基づいて前記工程における前記欠陥の種類及び発生位置を特定する欠陥判定手段とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造システム。

IPC (5件)：

G01B 11/30 , G01N 21/88 , G06T 7/00 , G06T 1/00 , H01L 21/66

FI (2件)：

G06F 15/62 405 A , G06F 15/64 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭57-035315
特開昭63-014426
特開昭61-029712

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