特許
J-GLOBAL ID:200903030454014059
光電変換装置及びその製造方法並びに光発電装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-177678
公開番号(公開出願番号):特開2008-010237
出願日: 2006年06月28日
公開日(公表日): 2008年01月17日
要約:
【課題】 可視光の短波長光と長波長光とを多孔質酸化物半導体層で閉じ込めて効率的に吸収させて、光電流を増大させて変換効率を高めること。【解決手段】 光電変換装置1は、導電性基板2上に色素を担持した多孔質酸化物半導体層3,4及びゲル状の電解質層7が形成された色素増感型の光電変換装置1において、多孔質酸化物半導体層3,4は、複数層が積層されて成るとともに、光入射側の多孔質酸化物半導体層3の表面または破断面の表面の算術平均粗さが光出射側の多孔質酸化物半導体層4の表面または破断面の表面の算術平均粗さよりも小さく、光入射側の多孔質酸化物半導体層3の厚みが光出射側の多孔質酸化物半導体層4の厚みよりも厚い。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
導電性基板上に色素を担持した多孔質酸化物半導体層及びゲル状の電解質層が形成された色素増感型の光電変換装置において、前記多孔質酸化物半導体層は、複数層が積層されて成るとともに、光入射側の前記多孔質酸化物半導体層の表面または破断面の表面の算術平均粗さが光出射側の前記多孔質酸化物半導体層の表面または破断面の表面の算術平均粗さよりも小さく、光入射側の前記多孔質酸化物半導体層の厚みが光出射側の前記多孔質酸化物半導体層の厚みよりも厚いことを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (19件):
5F051AA14
, 5F051FA02
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051GA02
, 5H032AA06
, 5H032AS09
, 5H032AS10
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032CC14
, 5H032CC17
, 5H032EE02
, 5H032HH04
, 5H032HH07
引用特許:
出願人引用 (3件)
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色素増感太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-072809
出願人:財団法人電力中央研究所
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光電変換素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-274000
出願人:株式会社東芝
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光電変換素子および光電気化学電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-017174
出願人:富士写真フイルム株式会社
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