半導体ウェハ及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114443
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316243
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】バッファ層構造に起因したミニバンド形成やエネルギー障壁低下によるリーク電流の増加を防ぎ、キャリアの走行特性を向上させる。【構成】電界効果トランジスタは、半導体基板1上にバッファ層16及び動作層3が順次積層され、その表面にソース電極4、ゲート電極5、ドレイン電極6が設けられて構成される。バッファ層16は、動作層3と材料が同じ半導体層A15、13、11と、動作層Aよりバンドギャップの大きい半導体層B14、12、10とを、半導体基板1から動作層3に向かって、半導体層A及び半導体層Bの各々の厚さを順次薄くしながら、半導体層Aと半導体層Bの交互層25を少なくとも2回以上交互に積層した厚さグレーディッド型交互積層構造で構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板、バッファ層及び動作層が順次積層された半導体ウェハにおいて、上記バッファ層を、上記動作層と材料が同じ半導体層Aと、上記動作層よりバンドギャップの大きい半導体層Bとを、上記半導体基板から上記動作層に向かって、半導体層A及び半導体層Bの各々の厚さを順次薄くしながら、半導体層Aと半導体層Bの交互層を少なくとも2回以上交互に積層した厚さグレーディッド型交互積層構造で構成したことを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 29/80 B , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-150016
特開平2-231733
特開平4-000725

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