特許
J-GLOBAL ID：200903030456679643
面発光型半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013476
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204289
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、高効率、高出力、小型で且つ低閾値の面発光型半導体レーザを提供することにある。【構成】 InGaAs歪量子井戸活性層(4)を有する0.98mm帯面発光型半導体レーザにおいて、障壁層が引張歪のInGaAsP層(5)より構成され、さらに量子井戸層の層数が4層以上である。【効果】 本発明によれば、欠陥の少ない多重量子井戸層を提供できるので、面発光型半導体レーザの高効率化、高出力化、小型化、閾電流低減に効果がある。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、少なくとも1層の光を発生するInGaAs量子井戸層と該量子井戸層に隣接する障壁層とから構成される活性層の上下を反射鏡で挟んだ積層構造を有し、前記GaAs基板に垂直に光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、上記障壁層が、In(1-x)Ga(x)As(y)P(1-y)からなることを特徴とする面発光型半導体レーザ。
IPC (2件)：
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