特許

J-GLOBAL ID：200903030463894037

高電子移動度トランジスタ

発明者： 椎名 泰一 ,  児島 誠司
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 箕浦 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-351594
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166846
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 MBE法やMOCVD法により作製される、プレーナドープを用いたエピタキシャル成長による高電子移動トランジスタの電気特性の方向により異常性をなくす。【構成】 GaAs基板上に、下から第一層としてGaAsバッファ層、第2層としてAlGaAsバッファ層、第3層としてGaAsチャネル層、第4層としてAlGaAsドープ層、第5層としてGaAs電極層をエピタキシャル成長した構造であって、さらに第4層のAlGaAsドープ層の成長中に一時成長を中断してドーパントをプレーナドープしたトランジスタにおいて、第3層のGaAsチャネル層の厚みを1500A(オングストローム)以上とする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、下から第1層としてGaAsバッファ層、第2層としてAlGaAsバッファ層、第3層としてGaAsチャネル層、第4層としてAlGaAsドープ層、第5層としてGaAs電極層をエピタキシャル成長した構造であって、さらに第4層のAlGaAsドープ層の成長中に、一時成長を中断してドーパントをプレーナドープしたトランジスタにおいて、第3層のGaAsチャネル層の厚みを1500A(オングストローム)以上としたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/12