特許

J-GLOBAL ID：200903030465614287

半導体製造装置及びその使用方法

発明者： 前田 和夫 ,  大平 浩一 ,  広瀬 光雄
出願人/特許権者： 株式会社半導体プロセス研究所 ,  アルキヤンテック株式会社 ,  キヤノン販売株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-022359
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124891
出願日： 1991年02月15日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【目的】半導体製造装置及びその使用方法に関し、より詳しくは、CVD法によりウエハ上に膜形成を行うための半導体製造装置及びその使用方法に関し、装置の稼働率を低下させることなくチャンバ内で発生する塵を容易に除去することが可能な半導体製造装置及びその使用方法を提供することを目的とする。【構成】ウエハ上に膜を形成する反応ガスをガス放出面2から放出するガス分散具1と、ガス放出面2を含む平面と対向するウエハ載置面4を有するウエハ保持具3とを具備し、ガス放出面2を含む平面に対向するように、吸引口5と該吸引口5と接続されたブラシ6とを有するクリーナ7が設けられ、クリーナ7とガス放出面2を含む平面とが対向しつつクリーナ7又はガス分散具1のいずれかが移動し、かつブラシ6がガス放出面2に接触するようになされていることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

ウエハ上に膜を形成する反応ガスをガス放出面から放出するガス分散具と、前記ガス放出面を含む平面と対向するウエハ載置面を有するウエハ保持具とを具備し、前記ガス放出面を含む平面に対向するように、吸引口と該吸引口と接続されたブラシとを有するクリーナが設けられ、前記クリーナと前記ガス放出面を含む平面とが対向しつつ前記クリーナ又は前記ガス分散具のいずれかが移動し、かつ前記ブラシが前記ガス放出面に接触するようになされていることを特徴とする半導体製造装置。