特許

J-GLOBAL ID：200903030466936520

半導体ウェハの研磨装置

発明者： 山下 純一
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-354794
公開番号（公開出願番号）：特開平9-174430
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハを多段階の研磨により研磨し効率よく1枚ずつ処理すると共に、トップリングやチャッキングによるシミや傷を防止し、平坦度の高い半導体ウェハの研磨ができる半導体ウェハの研磨装置を提供することができる。【解決手段】 水平方向に回転する下定盤2を研磨基台1に設ける。下定盤2の上部に第1〜3トップリング1a〜3cを設ける。それぞれのトップリングに半導体ウェハを着脱させる搬送装置3a〜3cを設ける。それぞれのトップリングの上下移動を個別に制御する。

請求項（抜粋）：

一枚の半導体ウェハを保持軸ごとに保持し、該半導体ウェハを研磨クロスに当接させて枚葉ごとに研磨する半導体ウェハの研磨装置において、半導体ウェハを保持する保持軸が複数設けられ、それぞれの該保持軸の昇降及び半導体ウェハの前記保持軸への着脱が、各軸ごとに制御されるように設けたことを特徴とする半導体ウェハの研磨装置。

IPC (3件)：

B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 37/04 Z ,  H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-124866
  
• 特開昭59-227361
  
• 特開昭62-124866
  
• 特開昭59-227361