特許
J-GLOBAL ID：200903030467802196
強誘電体メモリセル及びそのアクセス装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323444
公開番号（公開出願番号）：特開平8-180673
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 配線面積を増大することなく強誘電体不揮発メモリの高集積化を可能とする。【構成】 メモリセル内に異なる分極反転電圧を持つ複数の強誘電体キャパシタを並列に配置し、各キャパシタに2値の記憶を持たせることにより多値メモリを実現し、セルあたりの記憶容量を増大させる。書込み時は、セル内の反転電圧の大きいキャパシタから順に、すでに書込んだキャパシタを反転させない電圧の印加により正負の分極を持たせ、各キャパシタに独立した情報を与える。また読出し時は、セル内の反転電圧の小さいキャパシタから順に、まだ読出していないキャパシタを反転させない電圧を印加して分極反転させて、独立して情報を読出す。【効果】 メモリセルあたりの記憶容量を多値とすることにより、配線面積を増大することなく高集積化できる。
請求項（抜粋）：
並列接続され分極反転に要する反転電圧が互いに異なる第1〜第n(nは2以上の整数、以下同じ)の強誘電体キャパシタを含み、前記第1〜第nの強誘電体キャパシタの夫々に2値情報を記憶するようにしたことを特徴とする強誘電体メモリセル。
IPC (3件)：
G11C 11/22
, G11C 11/401
, G11C 16/06
G11C 11/34 362 C
, G11C 17/00 309 K
