特許
J-GLOBAL ID：200903030470287383

ホトレジスト用剥離液

発明者：
脇屋 和正

脇屋 和正 について

, 
横井 滋

横井 滋 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120378
公開番号（公開出願番号）：特開2003-255565
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：
【要約】【課題】 AlやCu、さらにはその他の金属配線の防食性、およびホトレジスト膜やアッシング残渣物(ホトレジスト変質膜、金属デポジション等)の剥離性に優れるとともに、絶縁膜(SiO2膜等)、低誘電体膜(SOG膜等)等のSi系層間膜を設けた基板上への金属配線の形成において、これらSi系層間膜に由来するSi系残渣物の剥離性と基板(特にSi基板裏面)の防食性をともに優れてバランスよく達成し得るホトレジスト用剥離液を提供する。【解決手段】 (a)テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム水酸化物、(b)水溶性アミン、(c)水、(d)防食剤、および(e)水溶性有機溶媒を含有し、(a)成分:(b)成分=1:3〜1:10(質量比)であるホトレジスト用剥離液。
請求項（抜粋）：
(a)下記一般式(I)〔式中、R1、R2、R3、R4は、それぞれ独立に、アルキル基またはヒドロキシアルキル基を示す(ただし、R1、R2、R3、R4のうちの少なくとも1つは炭素原子数3以上のアルキル基またはヒドロキシアルキル基を示す〕で表される第4級アンモニウム水酸化物、(b)水溶性アミン、(c)水、(d)防食剤、および(e)水溶性有機溶媒を含有し、(a)成分と(b)成分の配合割合が(a)成分:(b)成分=1:3〜1:10(質量比)である、ホトレジスト用剥離液。
IPC (3件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D
Fターム (4件)：
2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  5F043CC16 ,  5F046MA02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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