特許

J-GLOBAL ID：200903030476056456

ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法

発明者： 河合 博貴 ,  梅澤 浩光
出願人/特許権者： 富士電気化学株式会社
代理人 (1件)： 茂見 穰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228624
公開番号（公開出願番号）：特開平8-067600
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 ビスマスを1.2atoms/f.u.より多く含む熱膨張率の大きなビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を、LPE法によって歩留りよく育成する。【構成】 LPE法によって、融液中から非磁性ガーネット基板上に、ビスマスを1.2atms/f.u. より多く含む希土類鉄ガーネット単結晶膜を、3≦T<SB>1 </SB>-T<SB>0 </SB>≦6.5、及び0<(T<SB>2 </SB>-T<SB>1 </SB>)/t≦0.041を同時に満たす条件で育成する。但し、T<SB>0 </SB>:25°Cにおいて基板と単結晶の格子定数が合う育成温度(°C)T<SB>1 </SB>:単結晶の育成開始温度(°C)T<SB>2 </SB>:単結晶の育成終了温度(°C)t :単結晶の膜厚(μm)

請求項（抜粋）：

液相エピタキシャル法によって、融液中から非磁性ガーネット基板上に、ビスマスを1.2atms/f.u. より多く含む希土類鉄ガーネット単結晶膜を育成する方法において、3≦T<SB>1 </SB>-T<SB>0 </SB>≦6.5 ... ?@0<(T<SB>2 </SB>-T<SB>1 </SB>)/t≦0.041 ... ?A但し、T<SB>0 </SB>:25°Cにおいて基板と単結晶の格子定数が合う育成温度(°C)T<SB>1 </SB>:単結晶の育成開始温度(°C)T<SB>2 </SB>:単結晶の育成終了温度(°C)t :単結晶の膜厚(μm)の上記?@式及び?A式を同時に満たす条件で育成することを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/28 ,  C30B 19/00