特許

J-GLOBAL ID：200903030481853615

半導体の製造方法

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048535
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244105
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 実質的にアモルファス状態のシリコン膜をアモルファスシリコンの結晶化温度以下のアニールによって結晶化させる方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜の上もしく下にニッケルもしくは珪化ニッケル等のニッケルを有する被膜、粒子、クラスター等を形成し、アモルファスシリコンの結晶化温度以下の温度でアニールすることによって、これを出発点として結晶化を進展させ、結晶シリコン膜を得る。さらに、得られた結晶シリコン膜を塩素を含む雰囲気において400〜600°Cでアニールすることによってニッケル分を除去することにより電気的に優れた特性を得る。

請求項（抜粋）：

基板上にニッケルを含有する物体を形成する第1の工程と、前記ニッケルを含有する物体上に、実質的にアモルファス状態のシリコン膜を形成する第2の工程と、第2の工程の後に基板を通常のアモルファスシリコンの結晶化温度より低い温度でアニールする第3の工程と、前記工程後、塩素もしくは塩化物を含む雰囲気中で400〜600°Cのアニールをおこなう第4の工程と、を有することを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784