特許
J-GLOBAL ID:200903030484527956
透明導電性積層体
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-011385
公開番号(公開出願番号):特開平11-207856
出願日: 1998年01月23日
公開日(公表日): 1999年08月03日
要約:
【要約】【課題】 低抵抗で、高透明性を有し、成膜後及び加熱後のカールが小さく、エッチング性にも優れた透明導電性積層体を提供する。【解決手段】透明なポリエチレンナフタレートフィルムと、その少なくとも1面上に、酸化インジウム(In2O3)-酸化スズ(SnO2)の焼結体を主成分とする透明導電層を積層し、前記酸化インジウム(In2O3)-酸化スズ(SnO2)の焼結体が、酸化スズ(SnO2)を3〜15重量%含有するものであり、前記透明導電層の表面抵抗が30Ω/□以下であり、かつ透明導電性積層体が、波長550nmにおける光線透過率80%以上である。
請求項(抜粋):
透明なポリエチレンナフタレートフィルムと、その少なくとも1面上に、酸化インジウム(In2O3)-酸化スズ(SnO2)の焼結体を主成分とする透明導電層を積層した透明導電性積層体において、前記酸化インジウム(In2O3)-酸化スズ(SnO2)の焼結体が、酸化スズ(SnO2)を3〜15重量%含有するものであり、前記透明導電層の表面抵抗が30Ω/□以下であり、かつ透明導電性積層体が、波長550nmにおける光線透過率80%以上であることを特徴とする透明導電性積層体。
IPC (3件):
B32B 9/00
, B32B 27/36
, H01B 5/14
FI (3件):
B32B 9/00 A
, B32B 27/36
, H01B 5/14 A
前のページに戻る