特許
J-GLOBAL ID:200903030488498926
半導体装置およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-250743
公開番号(公開出願番号):特開2000-082827
出願日: 1998年09月04日
公開日(公表日): 2000年03月21日
要約:
【要約】【課題】 モールドする際の樹脂の拡がりを防止する半導体装置の構造および製造方法の提供。【解決手段】 プリント基板1の発光素子5を搭載した面のスルーホール部9をドライフィルムタイプソルダレジスト膜4で被覆することによりプリント基板電極部2bに封止用樹脂8が流れ込むことを防止し、隣り合った発光素子間を分断するために必要な間隔を小さくできる。また、発光素子5の外周を囲むようにドライフィルムタイプソルダレジスト膜4を配置して、収縮緩和用樹脂10を塗布することにより、発光素子5に対する収縮緩和用樹脂10の塗布層の厚さを十分に厚くできる。
請求項(抜粋):
スルーホールを有するプリント基板の一面に半導体素子を搭載し、前記プリント基板の一面側のスルーホール部をドライフィルムタイプソルダレジスト膜で被覆し、前記半導体素子を樹脂でモールドしたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 31/02 B
, H01L 33/00 N
Fターム (9件):
5F041AA21
, 5F041DA11
, 5F041DA44
, 5F088BA16
, 5F088BA18
, 5F088GA02
, 5F088GA08
, 5F088HA12
, 5F088JA06
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