特許

J-GLOBAL ID：200903030492879268

膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者： 玉木 研太郎 ,  西川 通則 ,  塩田 淳 ,  山田 欣司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175599
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105400
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率を示し、塗膜積層時の密着性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)Si-H結合を有するアルコキシシランを加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、(B)アルキルアルコキシシランを加水分解、縮合して得られる加水分解物とを含む組成物。

請求項（抜粋）：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、(B)下記一般式(2)で表される化合物、下記一般式(3)で表される化合物および下記一般式(4)で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物ならびに(C)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。HSi(OR1 )3 ・・・・・(1)(式中、R1 は1価の有機基を示す。)Ra Si(OR2)4-a ・・・・・(2)(式中、Rはフッ素原子または1価の有機基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR3)4 ・・・・・(3)(式中、R3は1価の有機基を示す。) R4b (R5O)3-b Si-(R8)d -Si(OR6)3-c R7c ・・・(4)〔式中、R4〜R7は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R8は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕

IPC (4件)：

C09D183/05 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14

FI (4件)：

C09D183/05 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14

Fターム (33件)：

4J038DL021 ,  4J038DL022 ,  4J038DL031 ,  4J038DL032 ,  4J038DL041 ,  4J038DL042 ,  4J038DL051 ,  4J038DL052 ,  4J038DL071 ,  4J038DL072 ,  4J038DL081 ,  4J038DL082 ,  4J038DL111 ,  4J038DL112 ,  4J038DL161 ,  4J038DL162 ,  4J038JA17 ,  4J038JA25 ,  4J038JA32 ,  4J038JA55 ,  4J038JB12 ,  4J038JB18 ,  4J038JB27 ,  4J038JB29 ,  4J038JB32 ,  4J038JC11 ,  4J038JC16 ,  4J038KA06 ,  4J038NA12 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09