レチクル及びこれを用いた半導体露光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本眞吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268968
公開番号（公開出願番号）：特開平6-118623
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】各種パターンに対し解像度と焦点深度を共に向上させる。【構成】ガラス基板上にパターン部を除き遮光体34が被着されて、長手方向が互いに直角なX方向線形パターン30xとY方向線形パターン30yとが形成され、パターン30xは、透過軸がX方向のX偏光LXを透過させ透過軸がY方向のY偏光LYを透過させず、パターン30yは、Y偏光LYを透過させX偏光LXを透過させない。このようなレチクル30の面に対し斜め方向かつX方向に直角な方向からX偏光LXを照射し、レチクル30の面に対し斜め方向かつY方向に直角な方向からY偏光LYを照射させる。

請求項（抜粋）：

透明基板(30)上にパターン部を除き遮光体(34)が被着されて、長手方向が互いに直角なX方向線形パターン(30x)とY方向線形パターン(30y)とが形成されたレチクルにおいて、該X方向線形パターンの該透明基板上近傍に該透明基板に平行に形成され、第1偏光(LX)を透過させ第2偏光(LY)を透過させない第1偏光選択手段と、該Y方向線形パターンの該透明基板上近傍に該透明基板に平行に形成され、該第2偏光を透過させ該第1偏光を透過させない第2偏光選択手段と、を有することを特徴とするレチクル

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027 , G02B 27/28

FI (3件)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 311 W , H01L 21/30 311 L

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