ボロンドープシリコンウェーハの評価方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247659
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059992
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】ボロンドープウェーハの酸化膜耐圧特性を測定するだけで、そのウェーハの評価を行うことができ、特に製造プロセスにおけるFe汚染の有無を判断することができる評価方法を提供する。【解決手段】ボロンドープシリコンウェーハにMOSキャパシタを形成し、該MOSキャパシタを用いて酸化膜耐圧特性を測定することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価する方法であって、前記MOSキャパシタの少なくとも測定電極部に光を照射しない状態と光を照射した状態とをそれぞれ形成し、光照射の有無のそれぞれの状態において前記酸化膜耐圧特性の測定を行い、光照射の有無のそれぞれの状態の測定結果を比較することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価するようにした。

請求項（抜粋）：

ボロンドープシリコンウェーハにMOSキャパシタを形成し、該MOSキャパシタを用いて酸化膜耐圧特性を測定することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価する方法であって、前記MOSキャパシタの少なくとも測定電極部に光を照射しない状態と光を照射した状態とをそれぞれ形成し、光照射の有無のそれぞれの状態において前記酸化膜耐圧特性の測定を行い、光照射の有無のそれぞれの状態の測定結果を比較することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価することを特徴とするボロンドープシリコンウェーハの評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , G01N 27/416 , G01N 33/00

FI (4件)：

H01L 21/66 L , H01L 21/66 Q , G01N 33/00 A , G01N 27/46 U

Fターム (6件)：

4M106AA01 , 4M106AB01 , 4M106BA01 , 4M106BA04 , 4M106CA14 , 4M106CB01

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