特許
J-GLOBAL ID:200903030500687284
半導電性樹脂成形体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-083334
公開番号(公開出願番号):特開2004-296126
出願日: 2003年03月25日
公開日(公表日): 2004年10月21日
要約:
【課題】半導電性樹脂成形体全体にわたって体積抵抗率や表面抵抗のバラツキが小さく、更に、そのような表面抵抗や体積抵抗が湿度、印加電圧によって実質的に変動することがない半導電性樹脂成形体を提供する。【解決手段】少なくとも、導電性高分子、導電性充填材及びバインダー樹脂を含む半導電性樹脂成形体であって、前記導電性充填材が酸化処理、スルホン酸化処理及び/又はハロゲン化処理されており、樹脂成型体が実質的に酸化処理剤、スルホン酸化処理剤、ハロゲン化処理剤を含有しないことを特徴とする半導電性樹脂成形体。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
少なくとも、導電性高分子、導電性充填材及びバインダー樹脂を含む半導電性樹脂成形体であって、前記導電性充填材が酸化処理、スルホン酸化処理及びハロゲン化処理から選ばれる1種以上で処理されており、樹脂成型体が実質的に酸化処理剤、スルホン酸化処理剤、ハロゲン化処理剤を含有しないことを特徴とする半導電性樹脂成形体。
IPC (6件):
H01B1/20
, C08J5/00
, C08K9/00
, C08L65/00
, C08L79/08
, H01B1/24
FI (6件):
H01B1/20 Z
, C08J5/00
, C08K9/00
, C08L65/00
, C08L79/08 Z
, H01B1/24 Z
Fターム (52件):
2H200FA01
, 2H200JA25
, 2H200JA26
, 2H200JB45
, 2H200JB46
, 2H200JC15
, 2H200JC16
, 2H200MA04
, 2H200MA14
, 2H200MA17
, 2H200MA20
, 2H200MB05
, 4F071AA60
, 4F071AA69
, 4F071AB03
, 4F071AD02
, 4F071AE15
, 4F071AF37
, 4F071AG06
, 4F071AH16
, 4F071BA02
, 4F071BB02
, 4F071BC07
, 4J002BD121
, 4J002BG021
, 4J002CE002
, 4J002CF061
, 4J002CF071
, 4J002CF081
, 4J002CK011
, 4J002CK021
, 4J002CL011
, 4J002CL031
, 4J002CL061
, 4J002CM012
, 4J002CM041
, 4J002DA016
, 4J002DA026
, 4J002DA036
, 4J002DA066
, 4J002DE046
, 4J002FA046
, 4J002FA056
, 4J002FA086
, 4J002FB076
, 4J002FD112
, 4J002FD116
, 4J002GQ02
, 5G301DA18
, 5G301DA28
, 5G301DA51
, 5G301DD10
引用特許:
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