平坦な表面を具備するMOSFET構成体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小橋一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-126607
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177237
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】隣接する活性領域の表面と実質的に、同一面状の表面を具備する分離構成体及びその製造方法を提供する。【構成】基板上に導電層を形成し、その上に窒化シリコン層を形成する。次いでホトレジスト層を形成し且つパターン化する。窒化シリコン層と導電層をエッチングして基板の一部を露出させる開口を形成する。次いで、ホトレジストを除去し、露出された基板及び開口内の側壁に沿って露出された導電層の一部を酸化する。スピンオンガラス等の平坦化用絶縁層を窒化シリコン層上及び開口内に形成する。絶縁層をエッチバックして窒化シリコンを露出させ、その場合に絶縁層の上表面が導電層の上表面と同一面状となる。次いで、窒化シリコン層を除去し、次いで導電層上に平坦なシリサイド層を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の平坦な表面を形成する方法において、基板上に導電層を形成し、前記基板の一部を露出させるために前記導電層を貫通して開口を形成し、前記開口内の前記基板の一部及び前記開口内の側壁に沿っての前記導電層の一部を酸化し、前記開口内に絶縁性領域を形成し、前記絶縁性領域及び前記導電層上に平坦なシリサイド層を形成する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-333258
特開昭62-043180
特開平4-097542

全件表示

前のページに戻る