特許
J-GLOBAL ID：200903030505200707
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-108190
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304190
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】チップの表面及び裏面に電極を有する半導体装置において、組立後の小型軽量化を実現できる半導体装置を提供する。【構成】(a)に示すように、ダイオードチップ20の裏面には、N型基板から取り出されたカソード用電極21と、P型拡散層22から取り出されたアノード用の表面電極23からバイパス用拡散層24を介して裏面側に取り出された電極25が形成されている。このようなダイオードチップ20を実装する場合、(b)及び(c)に示すように、リードフレーム13及び14に裏面の電極21及び25をそれぞれ接続すればよい。リードフレーム13と14の距離は非常に小さくでき、ワイヤーを使用しないのでワイヤーのループの高さは不要となる。従って、小型軽量化が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に形成された半導体導電領域を、前記基板上に設けられた導体と前記基板を貫通する拡散層とを介して前記基板裏面に設けられた電極に接続してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 321
, H01L 21/3205
, H01L 23/48
