特許

J-GLOBAL ID：200903030505979852

レベルシフタ及びレベルシフタを備えた半導体記憶装置

発明者： 丹沢 徹 ,  渡邊 健太郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-398388
公開番号（公開出願番号）：特開2002-197881
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】動作電圧が低下しても十分に動作可能なレベルシフタ、さらに高集積化が可能な前記レベルシフタを備えた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】電圧VHまたは電圧VLとなるノードND1と、電圧VLまたは電圧VHとなるノードND2を有するラッチ回路と、一端がノードND1に接続されたキャパシタC1と、一端がノードND2に接続されたキャパシタC2とを有し、キャパシタC1の他端には電圧Vhが入力され、キャパシタC2の他端には前記電圧Vhの反転信号である電圧Vlが入力される。

請求項（抜粋）：

第1電圧または第2電圧となる第1ノードと、第2電圧または第1電圧となる第2ノードを有するラッチ回路と、一端が第1ノードに接続された第1キャパシタと、一端が第2ノードに接続された第2キャパシタとを具備し、前記第1キャパシタの他端には第1信号が入力され、前記第2キャパシタの他端には前記第1信号の反転信号が入力されることを特徴とするレベルシフタ。

FI (4件)：

G11C 17/00 633 E ,  G11C 17/00 633 C ,  G11C 17/00 633 D ,  G11C 17/00 633 Z

Fターム (10件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AE07 ,  5B025AE08