特許

J-GLOBAL ID：200903030510223561

半導体基板のV字型溝形成方法

発明者： 郡司 浩幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-028030
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241541
出願日： 2003年02月05日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】切削回数を気にすることなく、安定したV字型溝を形成することができる半導体基板のV字型溝形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板3の半導体素子2間のV字型溝21形成時にレーザー光線20を使用し強度変換素子を介することにより、安定したV字型の溝を形成することが可能となり切削部クラック、チッピングの発生を防止できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子を形成した半導体基板において、個々の半導体素子に分離する際、個々の前記半導体素子間にレーザー光線を用いてV字型溝を形成することを特徴とした半導体基板のV字型溝形成方法。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (2件)：

H01L21/78 L ,  H01L21/78 B