特許

J-GLOBAL ID：200903030514790533

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 田所 昌洋 ,  塩屋 雅弘 ,  児島 雅之 ,  池田 武信
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200986
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025979
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 SACプロセスまたはHARCプロセスにおいて、酸化シリコン膜の開口性および窒化膜に対する選択性を向上させる。【解決手段】 半導体基板2S上に形成された酸化シリコン膜からなる酸化膜3dにコンタクトホール14a,14bを開口するためのプラズマエッチング処理に際して、低圧、エッチングガス(C5F8/O2/Ar)の大流量化により、エッチングガスのチャンバ内滞在時間を、窒化シリコンからなる絶縁膜8cに対する選択性が向上する領域に設定する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に窒化シリコン系の絶縁膜を堆積する工程、(b)前記窒化シリコン系の絶縁膜上に酸化シリコン系の絶縁膜を堆積する工程、(c)前記半導体基板に対して、フロロカーボン系のガス、酸素および希釈ガスを有するエッチングガスを用いてプラズマエッチング処理を施すことにより、前記酸化シリコン系の絶縁膜を加工する工程を有し、前記エッチングガスのエッチング処理室内滞在時間が50〜700msであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 621 C

Fターム (78件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD66 ,  4M104DD67 ,  4M104DD71 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD92 ,  4M104FF07 ,  4M104GG08 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ79 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033XX04 ,  5F083AD24 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA22 ,  5F083JA53 ,  5F083KA01 ,  5F083MA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40